ddr 4

¿QUÉ ES?

DDR4 SDRAM: en Inglés "Double Data Rate type four Synchronous Dynamic Random-Access Memory"

• Desarrollado por la firma Samsung para el uso con futuras tecnologías. 
• Se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores)
• Tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, 
• 240 terminales
• Están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. 
• También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

CARACTERÍSTICAS:

• Tienen un total de 288 pines DIMM. 
• La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.
• El voltaje, en las memorias DDR4, pasa de 1.05V a 1.2V. 
• Esto significa una reducción de mas o menos el 30% a la misma frecuencia de funcionamiento.(1.2 voltios para las versiones estándar, y 1.05 voltios para los modelos comúnmente denominados low voltage).

DESVENTAJAS:

No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y otros factores.

COMPARACIÓN ENTRE DDR4 Y EL DDR3:

	DDR4	DDR3/3L
SODMM	256pin/ 0.5mm	204pin/0.6mm
RDIMM,UDIMM,LRDIMM	284pin/ 0.85mm	240pin/1.0mm
DIMENSIONES DIMM ANCHO/ALTURA/GROSOR	133.35X31.25X3.9 (MO-309SA)	133.35x30x4 (MO-269G)
DIMENSIONES VLP DIMM ANCHO/ALTURA/GROSOR	133.35X18.75X4.9(MO-309SA)	133.35X18.75X4(MO-269G)
DIMENSIONES SOD  DIMM ANCHO/ALTURA/GROSOR	68.6X30X3.7(MO-310SA-01)	67.6X30X3.8 (MO-268C)
VOLTAJE	1.2V	1.5/1.35V
VELOCIDAD DE TRANSMISION DE DATOS	2133	8500/10600/12800